|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUP67Основные параметры полевого транзистора BUP67 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.47A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUP65 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 450V | | | 4.47A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | SSI4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | I2PAK | SSP4N60AS |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-220 | SSW4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-263 | STP4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.3A | | | 2.200 Ом | TO-220 | STP5N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STV4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.4A | | | 2.200 Ом | PowerSO-10 | STV5NA50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|