vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP4NA60
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP4NA60

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.200 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUP67 MOSFETN-Channel100W500V 4.47A--1.5 ОмTO3
    SSI4N60A MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмI2PAK
    SSP4N60AS MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмTO-220
    SSW4N60A MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмTO-263
    STP5N50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмTO-220
    STV4NA60 MOSFETN-Channel100W600V 4.4A 2.200 ОмPowerSO-10
    STV5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика