vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ50A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUZ50A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): -
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220SM
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ50A-220M MOSFETN-Channel75W1000V 7.5A--- ОмTO220M
    BUZ50A-220SM MOSFETN-Channel75W1000V 7.5A--- ОмTO220SM
    BUZ50A-220TM MOSFETN-Channel75W1000V 7.5A--- ОмTO220M
    BUZ50A-TO220M MOSFETN-Channel75W1000V 7.5A--- ОмTO220M
    BUZ50ASM MOSFETN-Channel75W1000V 7.5A--- ОмTO220SM
    BUZ50B MOSFETN-Channel75W1000V 6A--- ОмTO220M
    BUZ50B-220M MOSFETN-Channel75W1000V 6A--- ОмTO220M
    BUZ50B-220SM MOSFETN-Channel75W1000V 6A--- ОмTO220SM
    BUZ50B-TO220M MOSFETN-Channel75W1000V 6A--- ОмTO220M
    BUZ50BSM MOSFETN-Channel75W1000V 6A--- ОмTO220SM
    Яндекс.Метрика