|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ50BSMОсновные параметры полевого транзистора BUZ50BSM - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO220SM
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK2208 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 900V | | | 5A | | 1000pF | 3 Ом | FM100 | BUZ50A |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220SM | BUZ50A-220M |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220M | BUZ50A-220SM |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220SM | BUZ50A-220TM |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220M | BUZ50A-TO220M |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220M | BUZ50ASM |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 7.5A | - | - | - Ом | TO220SM | BUZ50B |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 6A | - | - | - Ом | TO220M | BUZ50B-220M |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 6A | - | - | - Ом | TO220M | BUZ50B-220SM |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 6A | - | - | - Ом | TO220SM | BUZ50B-TO220M |
MOSFET | N-Channel | 75W | 1000V | | | 6A | - | - | - Ом | TO220M | SSF7N80A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 5A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-3PF | STH9N80FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 800V | | | 5.6A | | | | ISO218 | |
|
|
|