vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ907D
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUZ907D

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 220V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 16A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): -
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ901D MOSFETN-Channel250W200V 16A-950pF- ОмTO3
    BUZ901DP MOSFETN-Channel250W200V 16A-950pF- ОмTO3PBL
    BUZ902D MOSFETN-Channel250W220V 16A--- ОмTO3
    BUZ902DP MOSFETN-Channel250W220V 16A TO3P
    BUZ903D MOSFETN-Channel250W250V 16A--- ОмTO3
    BUZ903DP MOSFETN-Channel250W250V 16A--- ОмTO247
    BUZ906D MOSFETP-Channel250W200V 16A150/110nS1900pF- ОмTO3
    BUZ906DP MOSFETP-Channel250W200V 16A150/110nS1900pF- ОмTO3PBL
    BUZ907DP MOSFETP-Channel250W220V 16A--- ОмTO3PBL
    BUZ908D MOSFETP-Channel250W250V 16A--- ОмTO3
    BUZ908DP MOSFETP-Channel250W250V 16A--- ОмTO3PBL
    Яндекс.Метрика