|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ901DPОсновные параметры полевого транзистора BUZ901DP - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 16A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): 950pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3PBL
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUZ900D |
MOSFET | N-Channel | 250W | 160V | | | 16A | - | 950pF | - Ом | TO3 | BUZ900DP |
MOSFET | N-Channel | 250W | 160V | | | 16A | - | 950pF | - Ом | TO3PBL | BUZ901D |
MOSFET | N-Channel | 250W | 200V | | | 16A | - | 950pF | - Ом | TO3 | BUZ902D |
MOSFET | N-Channel | 250W | 220V | | | 16A | - | - | - Ом | TO3 | BUZ902DP |
MOSFET | N-Channel | 250W | 220V | | | 16A | | | | TO3P | BUZ905D |
MOSFET | P-Channel | 250W | 160V | | | 16A | 150/110nS | 1900pF | - Ом | TO3 | BUZ905DP |
MOSFET | P-Channel | 250W | 160V | | | 16A | 150/110nS | 1900pF | - Ом | TO3PBL | BUZ906D |
MOSFET | P-Channel | 250W | 200V | | | 16A | 150/110nS | 1900pF | - Ом | TO3 | BUZ906DP |
MOSFET | P-Channel | 250W | 200V | | | 16A | 150/110nS | 1900pF | - Ом | TO3PBL | BUZ907D |
MOSFET | P-Channel | 250W | 220V | | | 16A | - | - | - Ом | TO3 | BUZ907DP |
MOSFET | P-Channel | 250W | 220V | | | 16A | - | - | - Ом | TO3PBL | |
|
|
|