vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDD5680
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FDD5680

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 38A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 46nS
    • Входная емкость (Сiss): 1835pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.021 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2800 MOSFETN-Channel50W60V ±20V40A 1500pF0.025 ОмTO-220AB
    2SK2912 MOSFETN-Channel50W60V ±20V40A 1500pF0.025 ОмLDPAK
    2SK2930 MOSFETN-Channel50W60V ±20V35A 1100pF0.032 ОмTO-220AB
    2SK2939 MOSFETN-Channel50W60V ±20V35A 1100pF0.032 ОмLDPAK
    FBD5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A 0.02 ОмTO-263
    FBD5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-263
    FDB5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A33nS 0.02 ОмTO-263
    FDB5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A23nS 0.027 ОмTO-263
    FDP5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A 0.02 ОмTO-220
    FDP5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-220
    IRLZ40 MOSFETN-Channel50W50V 35A TO-220
    SSS80N06A MOSFETN-Channel56W60V 45A200nS4630pF0.011 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика