|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDD5680Основные параметры полевого транзистора FDD5680 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 38A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 46nS
- Входная емкость (Сiss): 1835pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.021 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK2800 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | | ±20V | 40A | | 1500pF | 0.025 Ом | TO-220AB | 2SK2912 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | | ±20V | 40A | | 1500pF | 0.025 Ом | LDPAK | 2SK2930 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | | ±20V | 35A | | 1100pF | 0.032 Ом | TO-220AB | 2SK2939 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | | ±20V | 35A | | 1100pF | 0.032 Ом | LDPAK | FBD5680 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 60V | | | 40A | | | 0.02 Ом | TO-263 | FBD5690 |
MOSFET | N-Channel | 58W | 60V | | | 32A | | | 0.027 Ом | TO-263 | FDB5680 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 60V | | | 40A | 33nS | | 0.02 Ом | TO-263 | FDB5690 |
MOSFET | N-Channel | 58W | 60V | | | 32A | 23nS | | 0.027 Ом | TO-263 | FDP5680 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 60V | | | 40A | | | 0.02 Ом | TO-220 | FDP5690 |
MOSFET | N-Channel | 58W | 60V | | | 32A | | | 0.027 Ом | TO-220 | IRLZ40 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 50V | | | 35A | | | | TO-220 | SSS80N06A |
MOSFET | N-Channel | 56W | 60V | | | 45A | 200nS | 4630pF | 0.011 Ом | TO-220F | |
|
|
|