vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDP5680
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FDP5680

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.02 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2931 MOSFETN-Channel75W60V ±20V45A 2200pF0.015 ОмTO-220AB
    2SK2940 MOSFETN-Channel75W60V ±20V45A 2200pF0.015 ОмLDPAK
    FBD5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A 0.02 ОмTO-263
    FBD5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-263
    FDB5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A33nS 0.02 ОмTO-263
    FDB5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A23nS 0.027 ОмTO-263
    FDD5680 MOSFETN-Channel60W60V 38A46nS1835pF0.021 ОмDPAK
    FDP5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-220
    IRF044 MOSFETN-Channel75W60V 44A23/81nS2400pF0.032 ОмTO3
    IRFN044 MOSFETN-Channel75W60V 34A23/81nS2400pF0.05 ОмTO220SM
    SSS80N06A MOSFETN-Channel56W60V 45A200nS4630pF0.011 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика