vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDR856P
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FDR856P

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.8W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.025 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: SUPERSOT-8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDC633N MOSFETN-Channel1.6W30V 5.2A 0.042 ОмSuperSOT-6
    FDC653N MOSFETN-Channel1.6W30V 5A 0.035 ОмSuperSOT-6
    FDC655AN MOSFETN-Channel1.6W30V 6.3A9nS 0.027 ОмSuperSOT-6
    HAT2037T MOSFETN-Channel1.3W28V ±12V5.5A 780pF0.027 ОмSOP-8
    HAT2042T MOSFETN-Channel1W28V ±12V5A120mS510pF18 ОмTSOP-8
    HAT2045T MOSFETN-Channel1W28V ±12V6A100mS680pF22 ОмTSOP-8
    HAT2052T MOSFETN-Channel1W28V ±12V5A120mS510pF18 ОмTSOP-8
    Яндекс.Метрика