|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HAT2037TОсновные параметры полевого транзистора HAT2037T - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.3W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 28V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±12V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 780pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.027 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: SOP-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDC633N |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 30V | | | 5.2A | | | 0.042 Ом | SuperSOT-6 | FDC653N |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 30V | | | 5A | | | 0.035 Ом | SuperSOT-6 | FDC655AN |
MOSFET | N-Channel | 1.6W | 30V | | | 6.3A | 9nS | | 0.027 Ом | SuperSOT-6 | FDC658P |
MOSFET | P-Channel | 1.6W | 30V | | | 4A | | | 0.05 Ом | SuperSOT-6 | FDR856P |
MOSFET | P-Channel | 1.8W | 30V | | | 6.3A | | | 0.025 Ом | SUPERSOT-8 | HAT2042T |
MOSFET | N-Channel | 1W | 28V | | ±12V | 5A | 120mS | 510pF | 18 Ом | TSOP-8 | HAT2045T |
MOSFET | N-Channel | 1W | 28V | | ±12V | 6A | 100mS | 680pF | 22 Ом | TSOP-8 | HAT2052T |
MOSFET | N-Channel | 1W | 28V | | ±12V | 5A | 120mS | 510pF | 18 Ом | TSOP-8 | |
|
|
|