Справка

Основные параметры полевого транзистора 2N6917

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 4900pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.4 Ом
  
• Производитель: N/A
  
• Тип корпуса: TO-3
• Найти datasheet