vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP352

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFP352

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6917	MOSFET	N-channel	125W	400V			11A		4900pF	0.4 Ом	TO-3
2N7227JV	MOSFET	N-Channel	150W	400V			14A	100nS	2400	0.315 Ом	N/A
2N7227JX	MOSFET	N-Channel	150W	400V			14A	100nS	2400	0.315 Ом	N/A
IRF350	MOSFET	N-Channel	150W	400V			14A	35/170nS	2600pF	0.4 Ом	TO3
IRF451	MOSFET	N-Channel	150W	450V			13A	-	-	0.4 Ом	TO3
IRF453	MOSFET	N-Channel	150W	450V			12A	-	-	0.5 Ом	TO3
IRF750A	MOSFET	N-Channel	156W	400V			15A	131nS	2140pF	0.3 Ом	TO-220
IRFM350	MOSFET	N-Channel	150W	400V			14A	35/170nS	2600pF	0.315 Ом	TO254
IRFP340A	MOSFET	N-Channel	162W	400V			11A	75nS	1180pF	0.55 Ом	TO-3P
IRFP351	MOSFET	N-Channel	150W	350V			15A				TO-3P
IRFP353	MOSFET	N-Channel	150W	350V			13A				TO-3P
IRFP451	MOSFET	N-Channel	150W	450V			14A	-	-	0.4 Ом	SOT93
IRFP453	MOSFET	N-Channel	150W	450V			12A	-	-	0.5 Ом	SOT93
SDF350	MOSFET	N-Channel	150W	400V			15A			0.3 Ом	N/A
SML4030CN	MOSFET	N-Channel	150W	400V			15A	28/64nS	1800pF	0.3 Ом	TO254
SML4040CN	MOSFET	N-Channel	150W	400V			13A	28/64nS	1800pF	0.4 Ом	TO254
SML4065BN	MOSFET	N-Channel	180W	400V			11A	20/49nS	950pF	0.65 Ом	TO247
SML40C15N	MOSFET	N-Channel	150W	400V			15A		1500pF	0.3 Ом	TO-254