|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HAT1036RОсновные параметры полевого транзистора HAT1036R - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 120mS
- Входная емкость (Сiss): 4200pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 70 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: SOP-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDS4410 |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 10A | | | 0.0135 Ом | SO8 | FDS6670A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 13A | | | 0.008 Ом | SO8 | FDS6675 |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 11A | | | 0.014 Ом | SO8 | FDS6680 |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 11.5A | | | 0.01 Ом | SO8 | FDS6680A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 12.5A | | | 0.0095 Ом | SO8 | FDS6690A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 11A | | | 0.0125 Ом | SO8 | HAT2036R |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | ±20V | 12A | 60mS | 1200pF | 23 Ом | SOP-8 | HAT2068R |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | ±20V | 14A | | | 20 Ом | SOP-8 | HAT2070R |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | ±20V | 12A | | | 13 Ом | SOP-8 | NDS8410A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 10.8A | | | 0.012 Ом | SO8 | Si4810DY |
FET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 10A | 20nS | | 0.020 Ом | SOIC-8 | |
|
|
|