vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HAT1036R
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора HAT1036R

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 120mS
    • Входная емкость (Сiss): 4200pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 70 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: SOP-8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDS4410 MOSFETN-Channel2.5W30V 10A 0.0135 ОмSO8
    FDS6670A MOSFETN-Channel2.5W30V 13A 0.008 ОмSO8
    FDS6675 MOSFETP-Channel2.5W30V 11A 0.014 ОмSO8
    FDS6680 MOSFETN-Channel2.5W30V 11.5A 0.01 ОмSO8
    FDS6680A MOSFETN-Channel2.5W30V 12.5A 0.0095 ОмSO8
    FDS6690A MOSFETN-Channel2.5W30V 11A 0.0125 ОмSO8
    HAT2036R MOSFETN-Channel2.5W30V ±20V12A60mS1200pF23 ОмSOP-8
    HAT2068R MOSFETN-Channel2.5W30V ±20V14A 20 ОмSOP-8
    HAT2070R MOSFETN-Channel2.5W30V ±20V12A 13 ОмSOP-8
    NDS8410A MOSFETN-Channel2.5W30V 10.8A 0.012 ОмSO8
    Si4810DY FETN-Channel2.5W30V 10A20nS 0.020 ОмSOIC-8
    Яндекс.Метрика