vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора Si4810DY

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора Si4810DY

Структура (технология): FET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 20nS
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.020 Ом
Производитель: VISHAY
Тип корпуса: SOIC-8
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
FDS4410	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			10A			0.0135 Ом	SO8
FDS4435	MOSFET	P-Channel	2.5W	30V			8.8A			0.02 Ом	SO8
FDS4435A	MOSFET	P-Channel	2.5W	30V			9A			0.017 Ом	SO8
FDS6612A	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			8.4A			0.022 Ом	SO8
FDS6614A	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			9.3A			0.018 Ом	SO8
FDS6675	MOSFET	P-Channel	2.5W	30V			11A			0.014 Ом	SO8
FDS6680	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			11.5A			0.01 Ом	SO8
FDS6680A	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			12.5A			0.0095 Ом	SO8
FDS6685	MOSFET	P-Channel	2.5W	30V			8.8A			0.02 Ом	SO8
FDS6690A	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			11A			0.0125 Ом	SO8
FDS6982	MOSFET	N-Channel	2W	30V			8.6A			0.015 Ом	SO8
HAT1036R	MOSFET	P-Channel	2.5W	30V		±20V	12A	120mS	4200pF	70 Ом	SOP-8
HAT2036R	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V		±20V	12A	60mS	1200pF	23 Ом	SOP-8
HAT2039R	MOSFET	N-Channel	2W	30V		±12V	8A	185mS	1420pF	24 Ом	SOP-8
HAT2043R	MOSFET	N-Channel	2W	30V		±20V	8A	110mS	1170pF	33 Ом	SOP-8
HAT2061R	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V		±20V	8A	50mS	530pF	12 Ом	TSOP-8
HAT2070R	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V		±20V	12A			13 Ом	SOP-8
NDS8410A	MOSFET	N-Channel	2.5W	30V			10.8A			0.012 Ом	SO8
Si4812DY	FET	N-Channel	2.5W	30V			9A	16nS		0.028 Ом	SOIC-8
Si4832DY	FET	N-Channel	2.5W	30V			9A	16nS		0.028 Ом	SOIC-8