|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75307D3Основные параметры полевого транзистора HUF75307D3 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 33W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 55V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 55V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 7/35nS
- Входная емкость (Сiss): 250pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.090 Ом
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: TO251AA
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусHUF75307P3 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO220AB | 75307P3 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO220AB | HUF75307D3S |
MOSFET | N-Channel | 33W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO252AA | 75307D3 |
MOSFET | N-Channel | 33W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO251AA | HUF75307D3ST |
MOSFET | N-Channel | 33W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO252AA | TA75307 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 55V | 55V | ±20V | 15A | 7/35nS | 250pF | 0.090 Ом | TO220AB | |
|
|
|