vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75307P3
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора HUF75307P3

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 55V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 55V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 7/35nS
    • Входная емкость (Сiss): 250pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.090 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: TO220AB
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    HUF75307D3 MOSFETN-Channel33W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO251AA
    75307P3 MOSFETN-Channel35W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO220AB
    HUF75307D3S MOSFETN-Channel33W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO252AA
    75307D3 MOSFETN-Channel33W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO251AA
    HUF75307D3ST MOSFETN-Channel33W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO252AA
    TA75307 MOSFETN-Channel35W55V55V±20V15A7/35nS250pF0.090 ОмTO220AB
    Яндекс.Метрика