vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75631P3
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора HUF75631P3

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 33A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.040 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRE9160D MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    FRE9160H MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    FRE9160R MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    HUF76633P3 MOSFETN-Channel 100V 38A 0.036 ОмN/A
    HUF76633S3S MOSFETN-Channel 100V 38A 0.036 ОмN/A
    RF1S540SM MOSFETN-Channel 100V 28A 0.077 ОмN/A
    Яндекс.Метрика