vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RF1S540SM
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора RF1S540SM

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 28A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.077 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRE9160D MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    FRE9160H MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    FRE9160R MOSFETP-Channel 100V 30A 0.095 ОмN/A
    FRF150D MOSFETN-Channel 100V 25A 0.07 ОмN/A
    FRF150H MOSFETN-Channel 100V 25A 0.07 ОмN/A
    FRF150R MOSFETN-Channel 100V 25A 0.07 ОмN/A
    FRF9150D MOSFETP-Channel 100V 23A 0.140 ОмN/A
    FRF9150H MOSFETP-Channel 100V 23A 0.140 ОмN/A
    FRF9150R MOSFETP-Channel 100V 23A 0.140 ОмN/A
    FRK9150D MOSFETP-Channel 100V 26A 0.125 ОмN/A
    FRK9150H MOSFETP-Channel 100V 26A 0.125 ОмN/A
    FRK9150R MOSFETP-Channel 100V 26A 0.125 ОмN/A
    FRM140D MOSFETN-Channel 100V 23A 0.130 ОмN/A
    FRM140H MOSFETN-Channel 100V 23A 0.130 ОмN/A
    FRM140R MOSFETN-Channel 100V 23A 0.130 ОмN/A
    HUF75631P3 MOSFETN-Channel 100V 33A 0.040 ОмN/A
    IRFP9150 MOSFETP-Channel 100V 25A 0.150 ОмN/A
    JANSR2N7292 MOSFETN-Channel 100V 25A 0.070 ОмN/A
    JANSR2N7405 MOSFETN-Channel 100V 25A 0.070 ОмN/A
    Яндекс.Метрика