vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75639G3
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора HUF75639G3

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 56A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.025 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRK160D MOSFETN-Channel 100V 50A 0.040 ОмN/A
    FRK160H MOSFETN-Channel 100V 50A 0.040 ОмN/A
    FRK160R MOSFETN-Channel 100V 50A 0.040 ОмN/A
    HUF75639P3 MOSFETN-Channel 100V 56A 0.025 ОмN/A
    HUF75639S3S MOSFETN-Channel 100V 56A 0.025 ОмN/A
    HUF76639P3 MOSFETN-Channel 100V 50A 0.027 ОмN/A
    HUF76639S3S MOSFETN-Channel 100V 50A 0.027 ОмN/A
    IXTH67N10 MOSFETN-Channel 100V 67A 0.025 ОмTO247
    IXTM67N10 MOSFETN-Channel 100V 67A 0.025 ОмTO204
    Яндекс.Метрика