vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM67N10
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM67N10

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 67A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.025 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FSJ160D MOSFETN-Channel 100V 70A 0.022 ОмTO254AA
    FSJ160R MOSFETN-Channel 100V 70A 0.022 ОмTO254AA
    HUF75545P3 MOSFETN-Channel 80V 75A 0.010 ОмN/A
    HUF75545S3S MOSFETN-Channel 80V 75A 0.010 ОмN/A
    HUF75639G3 MOSFETN-Channel 100V 56A 0.025 ОмN/A
    HUF75639P3 MOSFETN-Channel 100V 56A 0.025 ОмN/A
    HUF75639S3S MOSFETN-Channel 100V 56A 0.025 ОмN/A
    HUF75645P3 MOSFETN-Channel 100V 75A 0.014 ОмN/A
    HUF75645S3S MOSFETN-Channel 100V 75A 0.014 ОмN/A
    HUF75652G3 MOSFETN-Channel 100V 75A 0.008 ОмN/A
    HUF76645P3 MOSFETN-Channel 100V 75A 0.015 ОмN/A
    HUF76645S3S MOSFETN-Channel 100V 75A 0.015 ОмN/A
    IXFH75N10Q MOSFETN-Channel 100V 75A 0.02 ОмTO247
    IXFH80N10Q MOSFETN-Channel 100V 80A 0.015 ОмTO247
    IXFT80N10Q MOSFETN-Channel 100V 80A 0.015 ОмTO268
    IXTH67N10 MOSFETN-Channel 100V 67A 0.025 ОмTO247
    IXTH75N10 MOSFETN-Channel 100V 75A 0.020 ОмTO247
    IXTM75N10 MOSFETN-Channel 100V 75A 0.020 ОмTO204
    Яндекс.Метрика