vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF76423D3

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора HUF76423D3

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.037 Ом
Производитель: INTERSIL
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
HUF75329D3	MOSFET	N-Channel		55V			20A			0.026 Ом	N/A
HUF75329D3S	MOSFET	N-Channel		55V			20A			0.026 Ом	N/A
HUF76409D3	MOSFET	N-Channel		60V			17A			0.071 Ом	N/A
HUF76409D3S	MOSFET	N-Channel		60V			17A			0.071 Ом	N/A
HUF76409P3	MOSFET	N-Channel		60V			17A			0.070 Ом	N/A
HUF76413D3	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.056 Ом	N/A
HUF76413D3S	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.056 Ом	N/A
HUF76413P3	MOSFET	N-Channel		60V			22A			0.056 Ом	N/A
HUF76419D3	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.043 Ом	N/A
HUF76419D3S	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.043 Ом	N/A
HUF76423D3S	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.037 Ом	N/A
HUF76429D3	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.027 Ом	N/A
HUF76429D3S	MOSFET	N-Channel		60V			20A			0.027 Ом	N/A
RFD16N05	MOSFET	N-Channel		50V			16A			0.047 Ом	N/A
RFD16N05L	MOSFET	N-Channel		50V			16A			0.047 Ом	N/A
RFD16N05LSM	MOSFET	N-Channel		50V			16A			0.047 Ом	N/A
RFD16N05SM	MOSFET	N-Channel		50V			16A			0.047 Ом	N/A
RFD16N06LE	MOSFET	N-Channel		60V			16A			0.047 Ом	N/A
RFD16N06LESM	MOSFET	N-Channel		60V			16A			0.047 Ом	N/A