|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRC520Основные параметры полевого транзистора IRC520 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 960pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
- Производитель: IRF
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRC120 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 100V | 100V | 20V | 8A | | 960pF | 0.3 Ом | TO-204 | IRF520FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 100V | 100V | 20V | 7A | 15/75ns | 450pF | 0.270 Ом | ISOWATT220 | STD8N10-1 |
MOSFET | N-Channel | 45W | 100V | 100V | 20V | 8A | 15/60nS | 450pF | 0.300 Ом | IPAK | STD8N10T4 |
MOSFET | N-Channel | 45W | 100V | 100V | 20V | 8A | 15/60nS | 450pF | 0.300 Ом | DPAK | |
|
|
|