|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF520FIОсновные параметры полевого транзистора IRF520FI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
- Время включения/выключения (Fr): 15/75ns
- Входная емкость (Сiss): 450pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.270 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOWATT220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRC120 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 100V | 100V | 20V | 8A | | 960pF | 0.3 Ом | TO-204 | IRC520 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 100V | 100V | 20V | 8A | | 960pF | 0.3 Ом | TO-220 | STD6N10-1 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 100V | 100V | 20V | 6A | 15/60nS | 400pF | 0.450 Ом | IPAK | STD6N10T4 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 100V | 100V | 20V | 6A | 15/60nS | 400pF | 0.450 Ом | DPAK | |
|
|
|