vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF250
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF250

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 30A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 35/170nS
    • Входная емкость (Сiss): -
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.09 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF650A MOSFETN-Channel156W200V 28A123nS2300pF0.085 ОмTO-220
    IRFM250 MOSFETN-Channel150W200V 27.4A35/170nS3500pF0.10 ОмTO254
    IRFP252 MOSFETN-Channel150W200V 25A TO-3P
    SDF250JAA MOSFETN-Channel150W200V 25A 0.1 ОмN/A
    SDF250JAB MOSFETN-Channel150W200V 25A 0.1 ОмN/A
    Яндекс.Метрика