vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFM250
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFM250

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 27.4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 35/170nS
    • Входная емкость (Сiss): 3500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.10 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO254
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6960 MOSFETN-channel125W200V 22A110/160nS2000pF0.012 ОмTO-204
    BUZ36 MOSFETN-Channel125W200V 22A--0.12 ОмTO3
    IRF250 MOSFETN-Channel150W200V 30A35/170nS-0.09 ОмTO3
    IRF650A MOSFETN-Channel156W200V 28A123nS2300pF0.085 ОмTO-220
    IRFP252 MOSFETN-Channel150W200V 25A TO-3P
    SDF250JAA MOSFETN-Channel150W200V 25A 0.1 ОмN/A
    SDF250JAB MOSFETN-Channel150W200V 25A 0.1 ОмN/A
    Яндекс.Метрика