|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF843Основные параметры полевого транзистора IRF843 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.1 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6914A |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 8.3A | | 4900pF | 0.8 Ом | TO-3 | 2N7220 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | BUP62 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 400V | | | 6.8A | 15/50nS | 840pF | 1.0 Ом | TO3 | BUZ45A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.3A | - | - | 0.8 Ом | TO3 | BUZ63 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 400V | | | 7.5A | - | - | 1.0 Ом | TO3 | IRF440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 30/80nS | 610pF | 1.8 Ом | TO3 | IRF742 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 400V | | | 8.3A | - | - | 0.8 Ом | TO220 | IRF842 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 7A | - | - | 1.1 Ом | TO220 | IRFI840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | I2PAK | IRFM440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | IRFP342 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 400V | | | 8A | | | | TO-3P | IRFP441 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 450V | | | 8.A | | | | TO-3P | IRFP442 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 7.A | | | | TO-3P | IRFP443 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 450V | | | 7.A | | | | TO-3P | IRFW840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-263 | SDF440 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 8A | | | 0.85 Ом | N/A | SML4065GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 8.5A | 18/50nS | 950pF | 0.65 Ом | TO257 | SML4080CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 400V | | | 8A | 18/50nS | 950pF | 0.8 Ом | TO254 | SML4080GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 7.5A | 18/50nS | 950pF | 0.8 Ом | TO3 | SML501R1AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 7.5A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO3 | SML501R1CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 7A | 18/52nS | 950pF | 1.1 Ом | TO254 | SML501R1GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6.5A | 18/52nS | 950pF | 1.1 Ом | TO257 | SML5085AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 8.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO3 | SML5085CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 18/52nS | 950pF | 0.85 Ом | TO254 | SML5085GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 7A | 18/52nS | 950pF | 0.85 Ом | TO257 | STP6N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6A | | | 1.100 Ом | TO-220 | STP7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | TO-220 | STP8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | TO-220 | STP9NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.8A | | | 0.800 Ом | TO-220 | STV7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | PowerSO-10 | STV8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|