vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML501R1AN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML501R1AN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 20/48nS
    • Входная емкость (Сiss): 950pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.1 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6914A MOSFETN-channel125W500V 8.3A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N7220 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    BFC49 MOSFETN-Channel180W600V 7.5A-764pF1.30 ОмTO247
    BFC63 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A-764pF1.30 ОмTO220
    BUP62 MOSFETN-Channel125W400V 6.8A15/50nS840pF1.0 ОмTO3
    BUP69 MOSFETN-Channel175W400V 7.93A--1.0 ОмTO3
    BUP70 MOSFETN-Channel175W450V 6.48A15/50nS640pF1.5 ОмTO3
    BUP71 MOSFETN-Channel175W500V 6.48A15/50nS640pF1.5 ОмTO3
    BUZ45A MOSFETN-Channel125W500V 8.3A--0.8 ОмTO3
    BUZ63 MOSFETN-Channel125W400V 7.5A--1.0 ОмTO3
    IRF440 MOSFETN-Channel125W500V 8A30/80nS610pF1.8 ОмTO3
    IRF742 MOSFETN-Channel125W400V 8.3A--0.8 ОмTO220
    IRF842 MOSFETN-Channel125W500V 7A--1.1 ОмTO220
    IRF843 MOSFETN-Channel125W450V 7A--1.1 ОмTO220
    IRFI840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмI2PAK
    IRFM440 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    IRFP342 MOSFETN-Channel125W400V 8A TO-3P
    IRFP440A MOSFETN-Channel162W500V 8.5A74nS1190pF0.85 ОмTO-3P
    IRFP441 MOSFETN-Channel125W450V 8.A TO-3P
    IRFP442 MOSFETN-Channel125W500V 7.A TO-3P
    IRFP443 MOSFETN-Channel125W450V 7.A TO-3P
    IRFW840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмTO-263
    SML4080CN MOSFETN-Channel125W400V 8A18/50nS950pF0.8 ОмTO254
    SML501R1CN MOSFETN-Channel125W500V 7A18/52nS950pF1.1 ОмTO254
    SML5085AN MOSFETN-Channel150W500V 8.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO3
    SML5085CN MOSFETN-Channel125W500V 8A18/52nS950pF0.85 ОмTO254
    SML601R3AN MOSFETN-Channel150W600V 6.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO3
    SML601R3BN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO247
    SML601R3CN MOSFETN-Channel125W600V 6.5A20/54nS950pF1.3 ОмTO254
    SML601R3KN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/47nS950pF1.3 ОмTO220
    SML601R6AN MOSFETN-Channel150W600V 6A20/49nS950pF1.6 ОмTO3
    SML601R6BN MOSFETN-Channel180W600V 6.5A20/49nS950pF1.6 ОмTO247
    SML601R6KN MOSFETN-Channel180W600V 6.5A20/47nS950pF1.6 ОмTO220
    SSH6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-3P
    SSH6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-3P
    SSH7N60A MOSFETN-Channel160W600V 7.3A65nS1150pF1.2 ОмTO-3P
    SSH8N55 MOSFETN-Channel150W550V 8A TO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    SSI7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмI2PAK
    SSP6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-220
    SSP6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-220
    SSP7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-220
    SSW7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-263
    STP6NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.200 ОмTO-220
    STP7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 7.2A 1.000 ОмTO-220
    STP8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмTO-220
    STP9NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8.8A 0.800 ОмTO-220
    STV7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.000 ОмPowerSO-10
    STV8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика