vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9522
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF9522

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 150/200nS
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмTO-220
    IRF511 MOSFETN-Channel43W80V -5.6A47/42nS-TO-220
    IRF512 MOSFETN-Channel43W100V -4.9A47/42nS-TO-220
    IRF513 MOSFETN-Channel43W80V -4.9A47/42nS-TO-220
    IRFI510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмI2PAK
    IRFR9121 MOSFETP-Channel42W80V 5.9A D-PAK
    IRFS9132 MOSFETP-Channel42W100V 6.9A TO-3P
    IRFU9120 MOSFETP-Channel42W100V 5.9A I-PAK
    IRFU9121 MOSFETP-Channel42W80V 5.9A I-PAK
    IRFW510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмTO-263
    IRL510A MOSFETN-Channel37W100V 5.6A8nS180pF0.44 ОмTO-220
    IRLI510A MOSFETN-Channel37W100V 5.6A8nS180pF0.44 ОмI2PAK
    IRLW510A MOSFETN-Channel37W100V 5.6A8nS180pF0.44 ОмTO-263
    SFR9120 MOSFETP-Channel32W100V 4.9A20nS425pF0.6 ОмDPAK
    SFS9630 MOSFETP-Channel33W100V 4.4A36nS740pF0.8 ОмTO-220F
    SFS9640 MOSFETP-Channel40W100V 6.2A59nS1220pF0.5 ОмTO-220F
    SFU9120 MOSFETP-Channel32W100V 4.9A20nS425pF0.6 ОмIPAK
    Яндекс.Метрика