|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9523Основные параметры полевого транзистора IRF9523 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 150/200nS
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF9521 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 60V | | | 6A | 150/200nS | | | TO-220 | IRFS9133 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 60V | | | 6.9A | | | | TO-3P | IRFZ12 |
MOSFET | N-Channel | 43W | 50V | | | 5.9A | | | | TO-220 | SFI9Z14 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 60V | | | 6.7A | 11nS | 270pF | 0.5 Ом | I2PAK | SFP9Z14 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 60V | | | 6.7A | 11nS | 270pF | 0.5 Ом | TO-220 | SFW9Z14 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 60V | | | 6.7A | 11nS | 270pF | 0.5 Ом | TO-263 | |
|
|
|