vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFZ12
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFZ12

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 43W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF9521 MOSFETP-Channel40W60V 6A150/200nS TO-220
    IRF9523 MOSFETP-Channel40W60V 5A150/200nS TO-220
    IRFS9133 MOSFETP-Channel42W60V 6.9A TO-3P
    PHD3055E MOSFETN-Channel50W60V 6A 0.15 ОмSOT428
    PHP3055E MOSFETN-Channel50W60V 6A 0.15 ОмSOT78
    PHP3055L MOSFETN-Channel50W60V 6A 0.18 ОмSOT78
    SFI9520 MOSFETP-Channel49W60V 6A20nS425pF0.6 ОмI2PAK
    SFI9Z14 MOSFETP-Channel38W60V 6.7A11nS270pF0.5 ОмI2PAK
    SFP9Z14 MOSFETP-Channel38W60V 6.7A11nS270pF0.5 ОмTO-220
    SFW9Z14 MOSFETP-Channel38W60V 6.7A11nS270pF0.5 ОмTO-263
    Яндекс.Метрика