|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9622Основные параметры полевого транзистора IRF9622 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/90nS
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| IRF610A |
MOSFET | N-Channel | 38W | 200V | | | 3.3A | 10nS | 160pF | 1.5 Ом | TO-220 | | IRFI610A |
MOSFET | N-Channel | 38W | 200V | | | 3.3A | 10nS | 160pF | 1.5 Ом | I2PAK | | IRFR222 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 200V | | | 3.8A | | | | D-PAK | | IRFS9232 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 200V | | | 3.8A | | | | TO-3P | | IRFU222 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 200V | | | 3.8A | | | | I-PAK | | IRFW610A |
MOSFET | N-Channel | 38W | 200V | | | 3.3A | 10nS | 160pF | 1.5 Ом | TO-263 | | IRL610A |
MOSFET | N-Channel | 33W | 200V | | | 3.3A | 9nS | 185pF | 1.5 Ом | TO-220 | | IRLI610A |
MOSFET | N-Channel | 33W | 200V | | | 3.3A | 9nS | 185pF | 1.5 Ом | I2PAK | | IRLW610A |
MOSFET | N-Channel | 33W | 200V | | | 3.3A | 9nS | 185pF | 1.5 Ом | TO-263 | | SFI9620 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 200V | | | 3.5A | 19nS | 415pF | 1.5 Ом | I2PAK | | SFP9620 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 200V | | | 3.5A | 19nS | 415pF | 1.5 Ом | TO-220 | | SFS9634 |
MOSFET | P-Channel | 33W | 200V | | | 3.4A | 37nS | 750pF | 1.3 Ом | TO-220F | | SFW9620 |
MOSFET | P-Channel | 38W | 200V | | | 3.5A | 19nS | 415pF | 1.5 Ом | TO-263 | |
|
|
|