vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFR222
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFR222

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: D-PAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF610A MOSFETN-Channel38W200V 3.3A10nS160pF1.5 ОмTO-220
    IRF9622 MOSFETP-Channel40W200V 3A90/90nS TO-220
    IRFI610A MOSFETN-Channel38W200V 3.3A10nS160pF1.5 ОмI2PAK
    IRFS9232 MOSFETP-Channel42W200V 3.8A TO-3P
    IRFU222 MOSFETN-Channel42W200V 3.8A I-PAK
    IRFW610A MOSFETN-Channel38W200V 3.3A10nS160pF1.5 ОмTO-263
    SFI9620 MOSFETP-Channel38W200V 3.5A19nS415pF1.5 ОмI2PAK
    SFP9620 MOSFETP-Channel38W200V 3.5A19nS415pF1.5 ОмTO-220
    SFW9620 MOSFETP-Channel38W200V 3.5A19nS415pF1.5 ОмTO-263
    Яндекс.Метрика