vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFE430
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFE430

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 22W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 30/55nS
    • Входная емкость (Сiss): 610pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.725 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: LCC4
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6792 MOSFETN-Channel20W400V 2A35/35nS600pF1.8 ОмTO-205AF
    2N6792JANT MOSFETN-Channel20W400V 2A35/35nS600pF1.8 ОмTO-205AF
    2N6792JANTX MOSFETN-Channel20W400V 2A35/35nS600pF1.8 ОмTO-205AF
    2N6792JANTXV MOSFETN-Channel20W400V 2A35/35nS600pF1.8 ОмTO-205AF
    2N6792SM MOSFETN-Channel20W400V 2A--1.8 ОмTO220SM
    2N6801 MOSFETN-Channel25W450V 2.5A30/30nS900pF1.5 ОмTO-205
    2N6801-SM MOSFETN-Channel25W450V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    2N6801LCC4 MOSFETN-Channel25W450V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    2N6802SM MOSFETN-Channel25W500V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    IRFF320 MOSFETN-Channel20W400V 2A40/60nS350pF2.07 ОмTO39
    IRFF430 MOSFETN-Channel25W500V 2.5A30/55nS610pF1.725 ОмTO39
    Яндекс.Метрика