vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFE9130
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFE9130

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 22W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 60/140nS
    • Входная емкость (Сiss): 800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.345 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: LCC4
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6788SM MOSFETN-Channel20W100V 6A--1.8 ОмTO220SM
    2SK3147 MOSFETN-Channel20W100V ±20V5A 420pF130 ОмDPAK
    BUK473-100A MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.16 ОмSOT186A
    BUK473-100B MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.2 ОмSOT186A
    BUK543-100A MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.18 ОмSOT186
    IRFE130 MOSFETN-Channel22W100V 7.4A30/40nS650pF0.207 ОмLCC4
    IRFF120 MOSFETN-Channel20W100V 6A40/40nS350pF0.345 ОмTO39
    IRFF9130 MOSFETP-Channel25W100V 6.5A60/140nS800pF0.345 ОмTO39
    Яндекс.Метрика