|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3147Основные параметры полевого транзистора 2SK3147 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 420pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 130 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6788SM |
MOSFET | N-Channel | 20W | 100V | | | 6A | - | - | 1.8 Ом | TO220SM | IRFE9130 |
MOSFET | P-Channel | 22W | 100V | | | 6.1A | 60/140nS | 800pF | 0.345 Ом | LCC4 | IRFF120 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 100V | | | 6A | 40/40nS | 350pF | 0.345 Ом | TO39 | IRFF9120 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 100V | | | 4A | 60/50nS | 380pF | 0.69 Ом | TO39 | IRFR110A |
MOSFET | N-Channel | 20W | 100V | | | 4.7A | 12nS | 190pF | 0.4 Ом | DPAK | IRFS510A |
MOSFET | N-Channel | 21W | 100V | | | 4.5A | 12nS | 190pF | 0.4 Ом | TO-220F | IRFU110A |
MOSFET | N-Channel | 20W | 100V | | | 4.7A | 12nS | 190pF | 0.4 Ом | IPAK | IRLR110A |
MOSFET | N-Channel | 22W | 100V | | | 4.7A | 8nS | 180pF | 0.44 Ом | DPAK | IRLS510A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 100V | | | 4.5A | 8nS | 180pF | 0.44 Ом | TO-220F | IRLU110A |
MOSFET | N-Channel | 22W | 100V | | | 4.7A | 8nS | 180pF | 0.44 Ом | IPAK | |
|
|
|