vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFM044

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFM044

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 23/81nS
Входная емкость (Сiss): 2400pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.040 Ом
Производитель: SEMELAB
Тип корпуса: TO254
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
IRF151	MOSFET	N-Channel	150W	60V			33A	-	-	0.055 Ом	TO3
IRF153	MOSFET	N-Channel	150W	60V			33A	-	-	0.08 Ом	TO3
IRFM054	MOSFET	N-Channel	150W	60V			35A	33/100nS	4600pF	0.027 Ом	TO254
IRFP151	MOSFET	N-Channel	150W	60V			40A	-	-	0.055 Ом	SOT93
IRFP153	MOSFET	N-Channel	150W	60V			34A	-	-	0.08 Ом	SOT93
IRFZ42	MOSFET	N-Channel	125W	50V			35A	-	-	0.035 Ом	TO220
IRFZ44	MOSFET	N-Channel	150W	60V			35A				TO-220
IRFZ45	MOSFET	N-Channel	150W	60V			35A				TO-220
IRLZ44	MOSFET	N-Channel	150W	60V			35A				TO-220
STP30N05	MOSFET	N-Channel	105W	50V			30A			0.050 Ом	TO-220
STP30N06	MOSFET	N-Channel	105W	60V			30A			0.050 Ом	TO-220
STP32N05L	MOSFET	N-Channel	105W	50V			32A			0.055 Ом	TO-220
STP32N06L	MOSFET	N-Channel	105W	60V			32A			0.055 Ом	TO-220
STP36N05L	MOSFET	N-Channel	120W	50V			36A			0.040 Ом	TO-220
STP36N06	MOSFET	N-Channel	120W	60V			36A			0.040 Ом	TO-220
STP36N06L	MOSFET	N-Channel	120W	60V			36A			0.040 Ом	TO-220
STP40N05	MOSFET	N-Channel	125W	50V			40A			0.035 Ом	TO-220
STV36N06	MOSFET	N-Channel	120W	60V			36A			0.040 Ом	PowerSO-10
STV40N05	MOSFET	N-Channel	120W	50V			40A			0.035 Ом	PowerSO-10