vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFZ45
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFZ45

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF151 MOSFETN-Channel150W60V 33A--0.055 ОмTO3
    IRF153 MOSFETN-Channel150W60V 33A--0.08 ОмTO3
    IRFM044 MOSFETN-Channel125W60V 35A23/81nS2400pF0.040 ОмTO254
    IRFM054 MOSFETN-Channel150W60V 35A33/100nS4600pF0.027 ОмTO254
    IRFP151 MOSFETN-Channel150W60V 40A--0.055 ОмSOT93
    IRFP153 MOSFETN-Channel150W60V 34A--0.08 ОмSOT93
    IRFZ42 MOSFETN-Channel125W50V 35A--0.035 ОмTO220
    IRFZ44 MOSFETN-Channel150W60V 35A TO-220
    IRLZ44 MOSFETN-Channel150W60V 35A TO-220
    STP36N05L MOSFETN-Channel120W50V 36A 0.040 ОмTO-220
    STP36N06 MOSFETN-Channel120W60V 36A 0.040 ОмTO-220
    STP36N06L MOSFETN-Channel120W60V 36A 0.040 ОмTO-220
    STP40N05 MOSFETN-Channel125W50V 40A 0.035 ОмTO-220
    STV36N06 MOSFETN-Channel120W60V 36A 0.040 ОмPowerSO-10
    STV40N05 MOSFETN-Channel120W50V 40A 0.035 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика