Справка

Основные параметры полевого транзистора IRFN150

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 27A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 35/170nS
  
• Входная емкость (Сiss): 3700pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.081 Ом
  
• Производитель: SEMELAB
  
• Тип корпуса: TO220SM
• Найти datasheet