|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS150AОсновные параметры полевого транзистора IRFS150A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 31A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 97nS
- Входная емкость (Сiss): 1750pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.04 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3PF
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF540A |
MOSFET | N-Channel | 107W | 100V | | | 28A | 78nS | 1320pF | 0.052 Ом | TO-220 | IRFI540A |
MOSFET | N-Channel | 107W | 100V | | | 28A | 78nS | 1320pF | 0.052 Ом | I2PAK | IRFN150 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 100V | | | 27A | 35/170nS | 3700pF | 0.081 Ом | TO220SM | IRFW540A |
MOSFET | N-Channel | 107W | 100V | | | 28A | 78nS | 1320pF | 0.052 Ом | TO-263 | NDB608A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 80V | | | 36A | | | 0.042 Ом | TO-263 | NDB610A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 100V | | | 26A | | | 0.065 Ом | TO-263 | NDP608A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 80V | | | 36A | | | 0.042 Ом | TO-220 | NDP610A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 100V | | | 26A | | | 0.065 Ом | TO-220 | SDF140 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 100V | | | 25A | | | 0.1 Ом | N/A | |
|
|
|