vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFN250
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFN250

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 22A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 35/170nS
    • Входная емкость (Сiss): 3500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.105 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220SM
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK3211 MOSFETN-Channel100W200V ±20V25A 2420pF75 ОмLDPAK
    IRFS250A MOSFETN-Channel90W200V 21.3A123nS2300pF0.085 ОмTO-3PF
    IRL640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-220
    IRLI640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмI2PAK
    IRLW640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-263
    SDF240 MOSFETN-Channel100W200V 18A 0.2 ОмN/A
    SSF45N20A MOSFETN-Channel100W200V 26.4A152nS3030pF0.065 ОмTO-3PF
    Яндекс.Метрика