|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRL640AОсновные параметры полевого транзистора IRL640A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 110W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 56nS
- Входная емкость (Сiss): 1310pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.18 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N7219 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 18A | 20/58nS | 1300pF | 0.18 Ом | TO254 | IRF240 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 18A | 20/58nS | - | 0.21 Ом | TO3 | IRF642 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 16A | 98/122nS | | | TO-220 | IRFM240 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 18A | 20/58nS | 1300pF | 0.18 Ом | TO254 | IRFP242 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 16A | | | | TO-3P | IRFS250A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 200V | | | 21.3A | 123nS | 2300pF | 0.085 Ом | TO-3PF | IRLI640A |
MOSFET | N-Channel | 110W | 200V | | | 18A | 56nS | 1310pF | 0.18 Ом | I2PAK | IRLW640A |
MOSFET | N-Channel | 110W | 200V | | | 18A | 56nS | 1310pF | 0.18 Ом | TO-263 | SDF240 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 200V | | | 18A | | | 0.2 Ом | N/A | STV18N20 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 18A | | | 0.180 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|