vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFN450
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFN450

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10.4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 35/72nS
    • Входная емкость (Сiss): 2700pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.515 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220SM
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1179 MOSFETN-Channel85W500V 8.5A 1300pF0.85 ОмFM100
    2SK1180 MOSFETN-Channel85W500V 10A 1800pF0.6 ОмFM100
    2SK2709 MOSFETN-Channel85W600V 8.5A 1200pF0.85 ОмFM100
    2SK2710 MOSFETN-Channel85W600V 12A 1900pF0.55 ОмFM100
    IRFN350 MOSFETN-Channel100W400V 11A35/170nS2600pF0.415 ОмTO220SM
    IRFS340A MOSFETN-Channel85W400V 8A75nS1180pF0.55 ОмTO-3PF
    IRFS350A MOSFETN-Channel92W400V 11.5A131nS2140pF0.3 ОмTO-3PF
    IRFS450A MOSFETN-Channel96W500V 9.6A157nS2500pF0.4 ОмTO-3PF
    SDF340JAA MOSFETN-Channel100W400V 10A 0.56 ОмN/A
    SDF340JAB MOSFETN-Channel100W400V 10A 0.56 ОмN/A
    SDF440 MOSFETN-Channel100W500V 8A 0.85 ОмN/A
    SML4065GN MOSFETN-Channel100W400V 8.5A18/50nS950pF0.65 ОмTO257
    SSF17N60A MOSFETN-Channel100W600V 9A166nS3050pF0.45 ОмTO-3PF
    SSF22N50A MOSFETN-Channel100W500V 12.4A236nS3940pF0.25 ОмTO-3PF
    Яндекс.Метрика