|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK2709Основные параметры полевого транзистора 2SK2709 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 85W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 1200pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
- Производитель: SANKEN
- Тип корпуса: FM100
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK1179 |
MOSFET | N-Channel | 85W | 500V | | | 8.5A | | 1300pF | 0.85 Ом | FM100 | IRFS450 |
MOSFET | N-Channel | 70W | 500V | | | 9A | | | | TO-3P | IRFS450A |
MOSFET | N-Channel | 96W | 500V | | | 9.6A | 157nS | 2500pF | 0.4 Ом | TO-3PF | IRFS452 |
MOSFET | N-Channel | 70W | 500V | | | 8.3A | | | | TO-3P | SDF440 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 8A | | | 0.85 Ом | N/A | SML5085GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 7A | 18/52nS | 950pF | 0.85 Ом | TO257 | SSF17N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 9A | 166nS | 3050pF | 0.45 Ом | TO-3PF | STH12N60FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 600V | | | 7A | | | | ISO218 | |
|
|
|