vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP230
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP230

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ32 MOSFETN-Channel75W200V 9.5A--0.4 ОмTO220M
    BUZ35 MOSFETN-Channel78W200V 9.9A--0.4 ОмTO3
    IRF230 MOSFETN-Channel75W200V 9A20/60nS600pF0.49 ОмTO3
    IRF630A MOSFETN-Channel72W200V 9A29nS500pF0.4 ОмTO-220
    IRF632 MOSFETN-Channel75W200V 8A90/90nS TO-220
    IRFI630A MOSFETN-Channel72W200V 9A29nS500pF0.4 ОмI2PAK
    IRFN9240 MOSFETP-Channel75W200V 8A35/85nS1200pF0.52 ОмTO220SM
    IRFP232 MOSFETN-Channel75W200V 8A TO-3P
    IRFW630A MOSFETN-Channel72W200V 9A29nS500pF0.4 ОмTO-263
    IRL630A MOSFETN-Channel69W200V 9A27nS580pF0.4 ОмTO-220
    IRLI630A MOSFETN-Channel69W200V 9A27nS580pF0.4 ОмI2PAK
    IRLW630A MOSFETN-Channel69W200V 9A27nS580pF0.4 ОмTO-263
    SDF230JAA MOSFETN-Channel75W200V 9A 0.415 ОмN/A
    SDF230JAB MOSFETN-Channel75W200V 9A 0.415 ОмN/A
    SDF230JDA MOSFETN-Channel75W200V 9A 0.415 ОмN/A
    Яндекс.Метрика