vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP232

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFP232

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BUZ32	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9.5A	-	-	0.4 Ом	TO220M
BUZ35	MOSFET	N-Channel	78W	200V			9.9A	-	-	0.4 Ом	TO3
IRF230	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A	20/60nS	600pF	0.49 Ом	TO3
IRF630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	TO-220
IRF632	MOSFET	N-Channel	75W	200V			8A	90/90nS			TO-220
IRFI630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	I2PAK
IRFN9240	MOSFET	P-Channel	75W	200V			8A	35/85nS	1200pF	0.52 Ом	TO220SM
IRFP230	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A				TO-3P
IRFS9240	MOSFET	P-Channel	65W	200V			7.6A				TO-3P
IRFW630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	TO-263
IRFY9240	MOSFET	P-Channel	60W	200V			7.7A	35/85nS	1400pF	0.58 Ом	TO220M
IRFY9240C	MOSFET	P-Channel	60W	200V			7.7A	35/85nS	1400pF	0.58 Ом	TO220M
IRL630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	TO-220
IRLI630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	I2PAK
IRLW630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	TO-263
SDF230JAA	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A
SDF230JAB	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A
SDF230JDA	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A
SFF9240	MOSFET	P-Channel	60W	200V			7.6A	59nS	1220pF	0.5 Ом	TO-3PF
STP7N20	MOSFET	N-Channel	75W	200V			7A			0.650 Ом	TO-220