vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP351
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP351

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7227JV MOSFETN-Channel150W400V 14A100nS24000.315 ОмN/A
    2N7227JX MOSFETN-Channel150W400V 14A100nS24000.315 ОмN/A
    IRF350 MOSFETN-Channel150W400V 14A35/170nS2600pF0.4 ОмTO3
    IRF750A MOSFETN-Channel156W400V 15A131nS2140pF0.3 ОмTO-220
    IRFM350 MOSFETN-Channel150W400V 14A35/170nS2600pF0.315 ОмTO254
    IRFP352 MOSFETN-Channel150W400V 13A TO-3P
    IRFP353 MOSFETN-Channel150W350V 13A TO-3P
    SDF350 MOSFETN-Channel150W400V 15A 0.3 ОмN/A
    SML4030CN MOSFETN-Channel150W400V 15A28/64nS1800pF0.3 ОмTO254
    SML4040CN MOSFETN-Channel150W400V 13A28/64nS1800pF0.4 ОмTO254
    SML40C15N MOSFETN-Channel150W400V 15A 1500pF0.3 ОмTO-254
    STW16N40 MOSFETN-Channel180W400V 16A 0.300 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика