vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP9133
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP9133

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUK7575-55 MOSFETN-Channel61W55V 10A 0.075 ОмSOT78
    BUK7675-55 MOSFETN-Channel61W55V 10A 0.075 ОмSOT404
    BUK9675-55 MOSFETN-Channel61W55V 10A 0.075 ОмSOT404
    IRF521 MOSFETN-Channel60W60V 9.2A--0.27 ОмTO220
    IRF9531 MOSFETP-Channel75W60V 12A200/280nS TO-220
    IRF9533 MOSFETP-Channel75W60V 10A200/280nS TO-220
    IRFP9131 MOSFETP-Channel75W60V 12A TO-3P
    IRFS9143 MOSFETP-Channel65W60V 10.4A TO-3P
    PHB21N06LT MOSFETN-Channel69W55V 10A 0.075 ОмSOT404
    PHP21N06LT MOSFETN-Channel69W55V 10A 0.075 ОмSOT78
    SFI9530 MOSFETP-Channel66W60V 10.5A38nS800pF0.3 ОмI2PAK
    Яндекс.Метрика