vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS140
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS140

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 19.4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ25 MOSFETN-Channel78W100V 19A--0.1 ОмTO3
    IRFN140 MOSFETN-Channel75W100V 22A21/64nS1660pF0.125 ОмTO220SM
    IRFS141 MOSFETN-Channel65W80V 19.4A TO-3P
    IRFS142 MOSFETN-Channel65W100V 17.3A TO-3P
    IRFS143 MOSFETN-Channel65W80V 17.3A TO-3P
    IRFY140 MOSFETN-Channel60W100V 18A30.7/145nS1660pF0.092 ОмTO220M
    IRFY140C MOSFETN-Channel60W100V 18A30.7/145nS1660pF0.092 ОмTO220MC
    NDB508A MOSFETN-Channel75W80V 19A 0.08 ОмTO-263
    NDP508A MOSFETN-Channel75W80V 19A 0.08 ОмTO-220
    STK16N10L MOSFETN-Channel65W100V 16A 0.120 ОмSOT-82
    STK17N10 MOSFETN-Channel65W100V 17A 0.110 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика