vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFN140
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFN140

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 22A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 21/64nS
    • Входная емкость (Сiss): 1660pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.125 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220SM
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ25 MOSFETN-Channel78W100V 19A--0.1 ОмTO3
    IRFS140 MOSFETN-Channel65W100V 19.4A TO-3P
    IRFS140A MOSFETN-Channel72W100V 23A78nS1320pF0.052 ОмTO-3PF
    IRFS141 MOSFETN-Channel65W80V 19.4A TO-3P
    IRFS152 MOSFETN-Channel70W100V 23.5A TO-3P
    IRFS153 MOSFETN-Channel70W80V 23.5A TO-3P
    IRFY140 MOSFETN-Channel60W100V 18A30.7/145nS1660pF0.092 ОмTO220M
    IRFY140C MOSFETN-Channel60W100V 18A30.7/145nS1660pF0.092 ОмTO220MC
    NDB508A MOSFETN-Channel75W80V 19A 0.08 ОмTO-263
    NDP508A MOSFETN-Channel75W80V 19A 0.08 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика