vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS232
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS232

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF620A MOSFETN-Channel47W200V 5A17nS275pF0.8 ОмTO-220
    IRF622 MOSFETN-Channel40W200V 4A--1.2 ОмTO220
    IRFI620A MOSFETN-Channel47W200V 5A17nS275pF0.8 ОмI2PAK
    IRFR220A MOSFETN-Channel40W200V 4.6A17nS275pF0.8 ОмDPAK
    IRFS230 MOSFETN-Channel42W200V 6.2A TO-3P
    IRFS630A MOSFETN-Channel38W200V 6.5A29nS500pF0.4 ОмTO-220F
    IRFS9230 MOSFETP-Channel42W200V 4.5A TO-3P
    IRFS9630 MOSFETP-Channel35W200V 6.5A TO-220
    IRFS9632 MOSFETP-Channel35W200V 5.5A TO-220
    IRFU220A MOSFETN-Channel40W200V 4.6A17nS275pF0.8 ОмIPAK
    IRFW620A MOSFETN-Channel47W200V 5A17nS275pF0.8 ОмTO-263
    IRL620 MOSFETN-Channel42W200V 4A TO-220
    IRL620A MOSFETN-Channel39W200V 5A15nS330pF0.8 ОмTO-220
    IRLI620A MOSFETN-Channel39W200V 5A15nS330pF0.8 ОмI2PAK
    IRLS630A MOSFETN-Channel36W200V 6.5A27nS580pF0.4 ОмTO-220F
    IRLW620A MOSFETN-Channel39W200V 5A15nS330pF0.8 ОмTO-263
    SDF220 MOSFETN-Channel50W200V 5A 0.8 ОмN/A
    SFS9644 MOSFETP-Channel40W200V 4.9A58nS1205pF0.8 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика